Méthodologie de localisation des défauts soft dans les circuits intégrés mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser : analyse de résultats des techniques dynamiques paramétriques

• Auteur / Autrice : Magdalena Sienkiewicz
• Direction : Dean Lewis
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Electronique
• Date : Soutenance le 28/05/2010
• Etablissement(s) : Bordeaux 1
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
• Jury : Président / Présidente : Nathalie Labat
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Olivier Crépel, Abdellatif Firiti, Philippe Perdu, Vincent Pouget
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : Marise Bafleur, Philippe Descamps
• DOI : 10.70675/db1b2a81z3badz4629zac3cz6293b04363d4

Mots clés

Mots clés contrôlés

Circuits intégrés

Lasers -- Applications industrielles

Mots clés libres

Analyse de défaillance

CI analogique et mixte

Techniques xVM

Localisation de défauts « soft »

Stimulation par faisceau laser continu en faible perturbation

Modélisation et simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI

Phénomène photo-thermique et photoélectrique

Failure analysis, Soft defect localization, analog and mixed mode ICs, laser stimulation, xVM techniques, modeling and simulations of interaction laser beam-IC, photoelectric and thermal phenomena

Résumé

Cette thèse s’inscrit dans le domaine de la localisation de défauts de type «soft» dans les Circuits Intégrés (CI) analogiques et mixtes à l’aide des techniques dynamiques de stimulation laser en faible perturbation. Les résultats obtenus à l’aide de ces techniques sont très complexes à analyser dans le cas des CI analogiques et mixtes. Ce travail porte ainsi particulièrement sur le développement d’une méthodologie facilitant l’analyse des cartographies laser. Cette méthodologie est basée sur la comparaison de résultats de simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI avec des résultats expérimentaux (cartographies laser). L’influence des phénomènes thermique et photoélectrique sur les CI (niveau transistor) a été modélisée et simulée. La méthodologie a été validée tout d’abord sur des structures de tests simples avant d’être utilisée sur des CI complexes que l’on trouve dans le commerce.

This thesis deals with Soft failure localization in the analog and mixed mode Integrated Circuits (ICs) by means of Dynamic Laser Stimulation techniques (DLS). The results obtained using these techniques are very complex to analyze in the case of analog and mixed ICs. In this work we develop a methodology which facilitates the analysis of the laser mapping. This methodology consists on combining the experimental results (laser mapping) with the electrical simulations of laser stimulation impact on the device. The influence of photoelectric and thermal phenomena on the IC (transistor level) has been modeled and simulated. The methodology has been validated primarily on test structures before being used on complex Freescale ICs existing in commerce.