Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons

par Sylvain Joblot

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Yvon Cordier.

  • Titre traduit

    Growth of GaN based heterostructures on (001) silicon substrate for high electron mobility transistors application


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  • Résumé

    L’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN est réalisée, depuis les années 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possède les avantages d’une conductivité thermique identique à celle du GaN, d’une grande disponibilité, de tailles pouvant aller jusqu’à 12’’ et de coûts très compétitifs induits par l’activité sans égale de la filière silicium. L’orientation (111) du silicium était préférée jusqu’alors pour l’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN de par sa symétrie de surface hexagonale compatible à la phase stable wurtzite du GaN. Néanmoins, en vu d’une intégration monolithique de futurs composants à base de GaN au côté de circuits intégrés de technologie MOS, les orientations de prédilections de la filière silicium (001) et (110), avec leur symétrie de surface carrée et quadratique respectivement, sont préférées. Ce travail de thèse a donc eu pour objectif la mise au point d’un procédé de croissance de structures (Al,Ga),N sur l’orientation (001). Nous montrerons que l’utilisation de substrats désorientés suivant la direction [110] cumulé à une préparation de surface et un procédé de croissance spécifique nous ont permis d’obtenir des couches de GaN wurtzite, malgré la symétrie carrée du plan (001), avec une unique orientation cristalline par épitaxie par jets moléculaire (EJM) et épitaxie en phase vapeur d’organométallique (EPVOM). Nous développerons également, comment, par l’insertion de plusieurs alternances AlN/GaN, il nous a été possible d’obtenir par EJM des structures HEMTs AlGaN/GaN non fissurées avec des propriétés proches de celles obtenues sur l’orientation (111).

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Informations

  • Détails : 1 vol. (239 p.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 07NICE4102
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