4H-SiC  AlN  Amplificateurs haute fréquence  Analyse SIMS et C-V  Bore  Briques technologiques  Cap-layer  Capteur térahertz  Caractérisation électrique  Carbure de silicium  Cartographie de l’espace réciproque  Cavités résonnantes  Chauffage ohmique  Circuits CMOS  Circuits intégrés  Co-intégration  Composants unipolaires  Compétition de site  Contact Schottky  Contact ohmique  Contraintes  Contraintes  Couche de pré-implantation  Couches minces  Couverture de surface  Cristallin  Croissance directe  DELs  Diamant  Diamant/Al2O3 interface  Diodes PN  Diodes à barrière de Schottky  Dislocations  Dislocations dans les métaux  Dislocations dans les semiconducteurs  Déformations  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Détecteurs de microondes  Détecteurs de photons  Détecteurs de rayonnement infrarouge  Effets des hautes températures  Epitaxie par jets moléculaires  Fiabilité  GaAs  GaN  Grand gap  Graphène  HEMT  HEMT à grille-réseau  HEMTs  Hydrogène  Hydrogénation  Hétérostructures  III-N  Iii-N  Implantation  Implantation ionique  InAlN  InGaAlN  InP  Incorporation N et Al  Indium  Intersousbandes  Ions -- Implantation  L'electronique de puissance  LaAlO3  Lasers à semiconducteurs  Le fluorure  Lithographie par faisceau d'électrons  Lithographie électronique  MOS complémentaires  Matériaux -- Effets des hautes températures  Matériaux  Mesure LPTL  Mg  Micro-ondes  Microcapteurs  Microélectronique  Mobilité  Mocvd  Mode d'enrichissement  Motifs  Mécanique  Nanosystèmes électromécaniques  Nitrure d'aluminium  Nitrure de gallium  Nitrure de gallium  Nitrure d’aluminium  Nitrures  Nitrures des métaux de transition  Nitrures d’éléments III  Ondes décimillimétriques  Ondes millimétriques  Optoélectronique  Oxydes high-κ  Packaging  Paramètre de maille  Passivation  Passivité  Polarité du matériau  Porteurs chauds  Porteurs libres  Propriétés électriques  Puits quantiques  Qcd  Qcl  Quantum cascade lasers  Quantum hot electron transistors  RF  Radiofréquences  Rayonnement infrarouge  Recuit des cristaux  Recuit mono-cycle  Recuit multi-cycles  Résistance des matériaux  Résistance spécifique de contact  Résonance plasmonique  Résonateurs  Semiconducteur III-V  Semiconducteurs  Silicium -- Substrats  Silicium  Silicium poreux  SrTiO3  THz  Tension de claquage  Tension de rupture  Texturation  Tilt  Transistor  Transistor de puissance  Transistor à haute mobilité électronique  Transistor à haute mobilité électronique  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires hétérostructures  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transistors à haute fréquence  ZnO  Électronique de puissance  Énergie de surface  Épitaxie  Épitaxie CVD  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie sous jets moléculaires  

Yvon Cordier a rédigé la thèse suivante :


Yvon Cordier a dirigé les 10 thèses suivantes :


Yvon Cordier a été président de jury des 2 thèses suivantes :

Electronique et optoélectronique, nano- et microtechnologies
Soutenue le 14-02-2017
Thèse soutenue

Yvon Cordier a été rapporteur des 5 thèses suivantes :

Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 31-10-2017
Thèse soutenue


Yvon Cordier a été membre de jury des 4 thèses suivantes :

Matériaux pour la micro- et l'opto-électronique
Soutenue le 22-03-2013
Thèse soutenue