Etude du gain optique dans des heterostructure quantique de GeSn contraintes

Optical gain in strained GeSn quantum heterostructure

• Auteur / Autrice : Antoine Meyer
• Direction : Moustafa El Kurdi
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Electronique, Photonique et Micro-Nanotechnologies
• Date : Inscription en doctorat le 01/01/2023
• Etablissement(s) : université Paris-Saclay
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Electrical, optical, bio-physics and engineering
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
• Partenaire(s) de recherche : Equipe de recherche : Photonique
• Partenaire(s) de recherche : référent : Faculté des sciences d'Orsay

Mots clés

Mots clés libres

Laser Infrarouge

Photonique silicium

Heterostructure quantique GeSn

Infrared Laser

Silicon photonic

GeSn quantum heterostructure

Résumé

Le projet de thèse vise à développer de nouvelles architectures de sources laser infrarouge utilisant un matériaux compatible avec les process industriels du silicium. Depuis quelques années les alliages GeSn se sont présenter comme d'excellent candidat afin de réaliser des sources laser directement avec des éléments semiconducteur de la filière silicium. Cette dernière a longuement été pénaliser par l'absences de gain optique avec le silicium, le germanium ou les alliages SiGe usuels du fait du caractère indirect de leur structures de bande.

The thesis project aims to develop new infrared laser source architectures using materials compatible with industrial silicon processes. For some years now, GeSn alloys have been presented as excellent candidates to realize laser sources directly with semiconductor elements from the silicon industry. The latter has long been penalised by the lack of optical gain with silicon, germanium or the usual SiGe alloys due to the indirect nature of their band structures.