Relaxor ferroélectriques pour l'informatique neuromorphique

Relaxor ferroelectrics for neuromorphic computing

• Auteur / Autrice : Long Cheng
• Direction : Igor Kornev
• Type : Projet de thèse
• Discipline(s) : Physique
• Date : Inscription en doctorat le 15/10/2020
• Etablissement(s) : université Paris-Saclay
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale INTERFACES : approches interdisciplinaires, fondements, applications et innovation
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : [UMR 8580] Laboratoire Structures, Propriétés, Modélisation des Solides
• Partenaire(s) de recherche : référent : CentraleSupélec (2015-....)

Mots clés

Mots clés libres

Ferroélectriques

Neuromorphique

Relaxor

Ferroelectric

Neuromorphic

Relaxor

Résumé

Les ferroélectriques relaxor ont été un matériau prometteur en raison de leurs propriétés diélectriques et piézoélectriques intrigantes, mais seuls quelques travaux ont été réalisés sur des films minces (inférieurs à 100 nm) et surtout des films très minces (de quelques nm à 20 nm). On sait qu'une large réponse diélectrique avec température et une forte relaxation diélectrique avec fréquence ont été attribuées à la formation de nanorégions polaires (PNR) dans une matrice non polaire où la température de brûlure (Tb) et la température maximale diélectrique (Tm) sont supposées être liées à la formation et au début du ralentissement de la dynamique des PNR. On étudiera ce qui se passera en raison d'une déformation inadaptée sur les nanorégions dites polaires (amas polaires de quelques nm) qui sont responsables du comportement du relaxeur (dispersion de fréquence de T_max, température du maximum de la constante diélectrique).

Relaxor ferroelectrics have been a promising material due to their intriguing dielectric and piezoelectric properties.However,only few works were performed on thin films(below 100 nm) and especially very thin films (few nm to 20nm). It is known that broad dielectric response with temperature and strong dielectric relaxation with frequency have been attributed to the formation of polar nanoregions (PNRs) in a nonpolar matrix where the Burns temperature (Tb)and dielectric maximum temperature (Tm) are thought to be related to the formation and onset of the slowing-down of the dynamics of the PNRs. It will be investigated what will happen because of misfit strain on the so-called polar nanoregions (polar clusters of few nm) which are responsible of the relaxor behaviour (frequency dispesion of T_max, temperature of the maximum of the dielectric constant).