Thèse soutenue

Caractérisation et modélisation de dispositifs FD-SOI Qubit MOS jusqu'à températures cryogéniques pour applications quantique
FR  |  
EN
Accès à la thèse
Auteur / Autrice : Edoardo Catapano
Direction : Gérard GhibaudoMikaël Cassé
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Nanoélectronique et nanotechnologie
Date : Soutenance le 21/12/2022
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....)
Jury : Président / Présidente : Anne Kaminski-Cachopo
Examinateurs / Examinatrices : Francis Balestra
Rapporteurs / Rapporteuses : Bogdan Mihail Cretu, Jean-Michel Sallese

Mots clés

FR  |  
EN

Résumé

FR  |  
EN

Comme mentionné précédemment, afin de faciliter le développement de bits quantiques industriels, des méthodes de caractérisation rapide pour le criblage des dispositifs doivent être développées en conséquence. En particulier, il s'est avéré fondamental d'exploiter le comportement de type transistor de tels qubits Si pour lier le comportement de la température ambiante à celui de la boîte quantique. L'objectif de cette thèse est de caractériser, de la température ambiante jusqu'aux températures cryogéniques profondes, les dispositifs qubit du LETI en régime de type transistor et de développer des modèles compacts, valables dans une large gamme de température, permettant d'extraire les principaux paramètres des dispositifs. Les modèles et les méthodes de caractérisation développés peuvent être utilisés pour sélectionner des dispositifs de bits quantiques potentiellement fonctionnels. De plus, la compréhension de la physique du dispositif au niveau du transistor peut fournir une meilleure compréhension du comportement des points quantiques et des bits quantiques. En effet, par exemple, la mobilité à faible champ s'est avérée avoir un rôle crucial pour sélectionner les portes qui peuvent être consacrées à la manipulation de spin des porteurs et celles qui peuvent être utilisées comme réservoirs de porteurs. Il convient de souligner que de nombreux modèles compacts développés dans ce travail peuvent également être utilisés pour les MOSFET cryogéniques classiques.