Auteur / Autrice : | Edoardo Catapano |
Direction : | Gérard Ghibaudo, Mikaël Cassé |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Nanoélectronique et nanotechnologie |
Date : | Soutenance le 21/12/2022 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....) |
Jury : | Président / Présidente : Anne Kaminski-Cachopo |
Examinateurs / Examinatrices : Francis Balestra | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Bogdan Mihail Cretu, Jean-Michel Sallese |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Comme mentionné précédemment, afin de faciliter le développement de bits quantiques industriels, des méthodes de caractérisation rapide pour le criblage des dispositifs doivent être développées en conséquence. En particulier, il s'est avéré fondamental d'exploiter le comportement de type transistor de tels qubits Si pour lier le comportement de la température ambiante à celui de la boîte quantique. L'objectif de cette thèse est de caractériser, de la température ambiante jusqu'aux températures cryogéniques profondes, les dispositifs qubit du LETI en régime de type transistor et de développer des modèles compacts, valables dans une large gamme de température, permettant d'extraire les principaux paramètres des dispositifs. Les modèles et les méthodes de caractérisation développés peuvent être utilisés pour sélectionner des dispositifs de bits quantiques potentiellement fonctionnels. De plus, la compréhension de la physique du dispositif au niveau du transistor peut fournir une meilleure compréhension du comportement des points quantiques et des bits quantiques. En effet, par exemple, la mobilité à faible champ s'est avérée avoir un rôle crucial pour sélectionner les portes qui peuvent être consacrées à la manipulation de spin des porteurs et celles qui peuvent être utilisées comme réservoirs de porteurs. Il convient de souligner que de nombreux modèles compacts développés dans ce travail peuvent également être utilisés pour les MOSFET cryogéniques classiques.