Auteur / Autrice : | Loïc Mangin | |
Direction : | Gérard Ghibaudo | |
Type : | Projet de thèse | |
Discipline(s) : | Nano electronique et nano technologies | |
Date : | Inscription en doctorat le | Soutenance le 06/12/2019 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes (ComUE) | |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) | |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : CEA/LETI | |
Jury : | Président / Présidente : Francis Balestra | |
Examinateurs / Examinatrices : Gérard Ghibaudo, Olivier Bonnaud, Stéphane Demiguel, Philippe Christol | ||
Rapporteurs / Rapporteuses : Olivier Bonnaud, Stéphane Demiguel |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
Dans loptique de répondre aux défis posés par le développement de limagerie infrarouge, ce travail de thèse a été consacré à létude de la passivation des semi-conducteurs utilisés dans les détecteurs quantiques au CEA-LETI. Ce type de détecteur offre les meilleures performances disponibles parmi les technologies de détection infrarouge existantes, mais doit être refroidi pour fonctionner correctement. Les axes de recherche actuels dans ce domaine sont laugmentation de température de fonctionnement des détecteurs, la diminution des pas de pixels, laugmentation de la taille des détecteurs et lamélioration de la qualité image. Dans plusieurs de ces axes, loptimisation de la passivation occupe une place importante. Une passivation non idéale présente en effet un état de charge, du fait de la présence de charges fixes, mobiles, et de pièges qui interagissent avec les porteurs du semi-conducteur. Cet état de charge est dépendant du type de passivation utilisée, du déroulement des étapes technologiques qui la concerne et des conditions de fonctionnement du composant. Il influe directement sur les performances de détection des pixels. Dans ce contexte, ces travaux de thèse ont permis de développer des outils de caractérisation et de simulation des structures de passivation de différentes filières de détecteurs infrarouge existantes au CEA-LETI, de lier létat électrique de la passivation avec les étapes technologiques mises en uvre dans sa réalisation, et de déterminer expérimentalement linfluence de ces propriétés électriques sur le fonctionnement dune photodiode.