Etude des interactions matériaux et des mécanismes électrochimiques aux interfaces des électrodes d’un empilement mémoire à base d’oxydes métalliques
Auteur / Autrice : | Aurélie Marty |
Direction : | Patrice Gonon |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Nano electronique et nano technologies |
Date : | Soutenance le 30/05/2018 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes (ComUE) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire des technologies de la microélectronique (Grenoble) |
Jury : | Président / Présidente : Elisabeth Blanquet |
Examinateurs / Examinatrices : Patrice Gonon, Christophe Vallée | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Marie-Paule Besland, Abdelkader Souifi |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Cette thèse porte sur la compréhension des mécanismes de forming dans les mémoires à pont conducteur (CBRAM) à base d’oxydes métalliques. Pour cela nous avons admis que l’empilement mémoire est une cellule électrochimique à l’échelle du nanomètre et considéré que les principaux mécanismes de forming sont basés sur des effets électrochimiques. Nous avons débuté nos études à partir d’un couple de référence CuxTey/Oxyde, analysé par HAXPES et ToF-SIMS avant et après l’electro-forming, dans le but d’observer les diffusions et les modifications de l’environnement chimique durant le forming. Ensuite, la couche fournissant les ions, basée sur un alliage CuxTey, ainsi que le diélectrique (Ta2O5, GdOx, or Al2O3) ont été modifiés étape par étape. Les résultats de leurs analyses ont été comparés avec ceux de l’empilement de référence dans le but de comprendre le rôle de chaque couche et des éléments présents dans l’empilement.Nous avons vu que les propriétés du diélectrique, telles que la force des liaisons métal-oxygène, l’hygroscopicité, ou l’éventuelle présence de défauts comme les lacunes d’oxygène, peuvent favoriser un comportement mémoire plutôt OXRAM, CBRAM ou hybride OXRAM/CBRAM. De plus, quand le cuivre diffuse durant le forming, une contre diffusion d’oxygène apparaît également dans le diélectrique. Ensuite, la présence de tellure dans la couche fournissant les ions est nécessaire pour permettre l’effacement de la mémoire, car il permet la re-dissolution du filament de cuivre dans la couche fournissant les ions. Nous avons également vu que le germanium amorphise l’alliage de CuxTeyGez et donc permet son intégration tout en le protégeant de l’oxydation. De plus, il est possible de remplacer le germanium par du zirconium, réduisant ainsi le diélectrique, ce qui facilite le forming.