Denis Rideau
IdRefMots clés
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MOS (électronique)
Modélisation
Caractérisation
SiGe
Extraction des paramètres électriques
Travail de sortie effectif
Charges et dipôles
Nanotechnologie
Transistors MOSFET
TCAD
Mémoire embarquée
Injection
Porteurs chauds
Monte Carlo
Tunneling dégradation
Silicium-Germanium (SiGe)
Arséniure de Gallium et d’Indium (InGaAs)
FDSOI
Énergie, Bandes d' (physique)
Transport des électrons, Théorie du