Pascal Chevalier
IdRefMots clés
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Transistors bipolaires à hétérojonctions
Fréquences des oscillations
MOS complémentaires
BiCMOS
Budget thermique
Technologie silicium sur isolant
Micro-ondes
Détection du signal
SiGe
Caractérisation haute fréquence
Fréquence d’oscillation maximale
HBT SiGe à nanofils
HBT SiGe SOI
Effet de polarisation du substrat
Mésomérie
Bruit de substrat
Amplificateurs haute fréquence
Collecteurs implantés
Base extrinsèque épitaxiale isolée du collecteur (EXBIC)
Épitaxie