1T-2R  28-nm FD-SOI BiCMOS  55-nm BiC-MOS  5G  Amplificateur de haute puissance  Amplificateur de puissance  Amplificateurs  Amplificateurs de puissance  Amplification de puissance  Analogique et RF  Analyse cryogénique  Analyse thermique  Back end of line  Barrière Schottky  Beyond-CMOS  BiCMOS  Bicouche  Bipolaire  Bipolaires avec des dispositifs complémentaires métal/oxyde/semi-conducteur  Bruit 1/f  Bruit basse fréquence  Bruit électronique  Budget thermique  CBRAM  CMOS  CMOS FD-SOI  Calibrage TCAO  Capacitance thermique  Capacité quasi-statique  Capacité thermique  Capteurs optiques  Caractérisation  Caractérisation IV impulsionnelle  Caractérisation de composants à semi-conducteur  Caractérisation load-pull  Caractérisations de dispositifs à semi-conducteurs  Cellule mémoire SRAM  Circuit intégré  Circuit neuro-inspiré  Circuits flexibles  Circuits intégrés -- Simulation par ordinateur  Circuits intégrés  Circuits intégrés analogiques numériques  Circuits intégrés hybrides  Circuits intégrés monolithiques hyperfréquence  Circuits intégrés numériques  Circuits non volatils  Circuits pour l’évaluation de modèles, interactions du composant au circuit  Circuits électroniques -- Calcul  Cmos  Cmos fdsoi  Coefficient d’inversion  Collage métallique des plaques  Combinaison de puissance  Combineurs de puissance  Conception  Conception assistée par ordinateur  Conception assistée par ordinateur  Conception des circuits intègrés  Contrainte mécanique  Contraintes  Couplage thermique intra-device  Couplage thermique mutuel  Cryoélectronique  DNTT  DNTT  Diodes à barrière de Schottky  Dispositif à des interactions de circuit  Diélectriques  Double Grille  Dégradation par porteur chaud  Dépiégeage  Détérioration  Effet Early  Effet bipolaire parasite  Effet non quasi-statique  Effet tunnel  Effet tunnel bande à bande  Effets de couplage  Effets de piégeage  Effets électrothermiques  Efficacité de la transadmittance  Efficacité de la transconductance  Equation de transport de Boltzmann  Expérimentation  Extraction des paramètres  Extraction des paramètres scalables  FDSOI  FPGA  Faible puissance  Faible tension  Fiabilité  Fiabilité à long-terme  Films minces  Fpga  GaAsSb  GaN  Gain bipolaire  Germanium  Gestion mémoire  Gm sur ID  Graphene  Graphène  Grille arrière  HBT SiGe:C  HCI  HEMT  HF  HF caractérisation  Haut-rendement  Haute-tension  Haute-vitesse  Hbt  High current model  Hyperfréquences  Hétéro-transistors bipolaires  Hétérojonctions Si/SiGe:C  Iabilité,  Iii-V  Ilo  Impact thermique du profile de dopage  Impédance thermique  InGaAs  InP  Injection de porteurs chauds  Intelligence artificielle  International technology roadmap for semiconductors  Lasers à semiconducteurs  Layout des doigts d’émetteur  Lithographie par faisceau d'électrons  Lithographie électronique  Logique à pur courant de spin  Logique à spin  Loi de vieillissement  MMIC  MOS complémentaires  MPSoC  Marges temporelles  Memristor  Memristors  Memristors organiques  Mesures du bruit haute fréquence  Mesures impulsion  Mesures pulsées  Microondes  Microélectronique  Modele compacte  Modèle HICUM  Modèle HiCuM  Modèle compact  Modèle géométrique  Modèles mathématiques  Modèles physiques  Modélisation  Modélisation TCAD  Modélisation compact  Modélisation compacte  Modélisation d'un dispositif semi-conducteur  Modélisation de composants semi-conducteur  Modélisation du transistor  Modélisation technologique TCAD  Modélisation électrique du bruit haute fréquence  Modélisation électrothermique  Monocouche  Mosfet  Moyenne-tension  Mram  Mécanisme de défaillance  Mémoire non-volatile  Mémoires flash  Mémoires non-volatiles à accès sélectif  Mémoires résistives  Méthodologie de conception  NBTI  NQS, LNA, LNA-MIXER  NVFF  NVFPGA  Nanodispositif  Nanoelectronique  Nanotechnologie  Nanotube  Nanotube de carbone  Nanotubes  Nanotubes de carbone  Nanoélectronique  Porteurs chauds  Réseaux neuronaux  Résistance thermique  Semiconducteurs  Technologie  Technologie silicium sur isolant  Transistor  Transistor bipolaire  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors organiques à effet de champ  Vieillissement  Électronique  Électronique de spin  

Cristell Maneux dirige actuellement les 4 thèses suivantes :

Electronique
En préparation depuis le 28-05-2019
Thèse en préparation


Cristell Maneux a dirigé les 10 thèses suivantes :


Cristell Maneux a été président de jury des 7 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 08-02-2018
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 24-11-2015
Thèse soutenue

Cristell Maneux a été rapporteur des 14 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 24-11-2015
Thèse soutenue

Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 18-06-2015
Thèse soutenue


Cristell Maneux a été membre de jury des 6 thèses suivantes :