Yvon Cordier
IdRefMots clés
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Nitrure de gallium
Épitaxie
Transistors
GaN
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Épitaxie par faisceaux moléculaires
Contraintes (mécanique)
Diodes à barrière de Schottky
Silicium
Puits quantiques
Silicium -- Substrats
Électronique de puissance
Optoélectronique
Transistors de puissance
HEMT
Hétérostructures
Nitrure de gallium (GaN)
Transistor à haute mobilité électronique (HEMT)
Détecteurs de rayonnement infrarouge
Nitrures