Etude et utilisation des propriétés des matériaux BIPs à défaut pour la conception d'antennes

Study and utilisation of the properties of the PBG materials with defects to realise antennas

• Auteur / Autrice : Cyril Cheype
• Direction : Alain Reineix
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique des hautes fréquences et optoélectronique. Télécommunications
• Date : Soutenance en 2001
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Antennes (électronique)

Semiconducteurs à large bande interdite

Semiconducteurs à bande interdite étroite

Mots clés libres

Antenne fort gain

Résumé

L'étude des matériaux à Bande Interdite Photonique a pris, depuis quelques anées, un essor considérable. Les applications sont d'ailleurs très nombreuses que ce soit en optique ou en micro ondes, dans le domaine du filtrage ou des antennes. Ce mémoire présente une description des caractéristiques électromagnétiques des matériaux à Bande Interdite Photonique et plus particulièrement les propriétés des matériaux BIP à défaut. Il permet de mieux maîtriser l'évolution fréquentielle des pics de transmission situés dans la Bande Interdite du matériau en fonction de la nature et des dimensions de ce matériau. Les modes de défaut ainsi crées sont ensuite exploités afin de construire des antennes à résonateurs BIP. Leur principe de fonctionnement est le suivant : -Une structure BIP est excitée sur son mode de défaut. -La répartition géométrique de cet te structure interdit certaines fréquences et certaines directions de propagation

Sincie few years, the Photonic Band Gap structure study is in considerable extension. Numerous applications has been made in optical frequencies as well as in microwave frequency range for the design of filter or antenna devices. This report presents a description of the electromagnetic characteristics of the Photonic Band Gap materials. We particularly focus on the PBG materials with defects.