Etude de l'integration optoelectronique et photonique sur inp : laser-mesfet et laser-convertisseur fm->am

Study of laser-mesfets optoelectronic integration and laser-fm->am converter photonic integration

• Auteur / Autrice : OLIVIER CALLIGER
• Direction : Georges Alquié
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

L'objet de cette these est l'etude d'une integration optoelectronique (laser-mesfets) et d'une integration photonique (laser fsk-convertisseur fm->am) sur inp. Pour l'integration optoelectronique, des monolithes composes d'un laser brs emettant a 1. 3m et de deux transistors mesfet de materiau gaas ont ete realises. L'heteroepitaxie du gaas sur inp par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques (epvom) est utilisee pour deposer les couches necessaires aux transistors. Les monolithes ainsi fabriques montrent une bande passante de 7ghz et un debit de modulation de 8gbit/s. Le monolithe concu pour l'integration photonique est compose d'un laser fsk modulable a 10gbit/s et d'un convertisseur fm->am. Il a pour objectif de compenser la dispersion chromatique de la fibre standard et ainsi de permettre une distance de propagation plus importante sans regeneration du signal a un debit eleve (>=10gbit/s). Un modele simulant le systeme laser-convertisseur-fibre a ete realise, permettant de definir les parametres du convertisseur (bande passante, finesse). A partir de ces caracteristiques, une structure du convertisseur a ete choisie: un resonateur de bragg couple contradirectionnellement avec un second guide. Ses parametres (epaisseur des deux guides, pas et profondeur du reseau) sont calcules via la methode des modes couples afin d'obtenir les caracteristiques desirees pour realiser une transmission sur 100km a 10gbit/s. Les etapes technologiques de fabrication de ce monolithe ont ete definies et celles jugees les plus critiques mises au point: la gravure profonde du reseau (>0. 1m) et du ruban (2-3m)