Etude experimentale et modelisation de l'effet de l'adsorption de l'oxygene moleculaire sur la conductivite de couches de silicium polycristallin l. P. C. V. D.

Experimental study and modelisation of molecular oxygen adsorption on the conductivity of lpcvd polycrystalline silicon

• Auteur / Autrice : DJILLALI MOSTEFA
• Direction : Bertrand Fortin
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Rennes 1

Résumé

Ce memoire decrit une etude du comportement de la conductivite de couches de silicium amorphe et polycristallin non intentionnellement dopees lpcvd (natives ou gravees par plasma) vis-a-vis de l'adsorption de l'oxygene, ou plus precisement de l'ionosorption. L'oxygene a un comportement accepteur vis-a-vis du silicium lpcvd (amorphe ou cristallin): la diminution de la conductivite en presence d'oxygene peut atteindre deux decades. Cette variation depend des conditions de depot et de traitement des couches. La variation relative de la conductivite (conductance) de la couche lors d'une adsorption isotherme d'oxygene est proportionnelle a l'epaisseur de la couche. La densite superficielle de molecules (atomes) d'oxygene restant en etats ionosorbes obeit a une loi de type langmuir. Deux grandeurs la caracterisent: une energie d'activation de desionosorption (w) et un facteur de frequence (v). Le couple (w, v) depend de la nature et des traitements des couches. Contrairement aux couches polycristallines, nous avons observe sur deux ans une evolution irreversible de la resistance de couches amorphes