Thèse soutenue

Gravure ionique reactive des semiconducteurs iii-v avec controle in situ par interferometrie laser : applications a l'optique integree
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Auteur / Autrice : PHILIPPE AUTIER
Direction : Florin Abelès
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1989
Etablissement(s) : Paris 6

Résumé

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Cette these est une contribution a l'etude de la gravure ionique reactive (rie) des semiconducteurs iii-v en plasmas chlores cl#2/ch#4/h#2/ar. Une analyse in situ de la surface gravee a ete mise en uvre par une methode d'interferometrie laser sur des motifs de test constitues de reseaux. Les parametres caracteristiques de la surface gravee sont alors accessibles en temps reel. La rie offre un outil pour les applications a l'optique integree: realisation de dispositifs passifs (guides a faibles pertes, miroirs ou virages) et de dispositifs actifs (commutateurs, modulateurs, detecteurs, etc. ). La precision apportee par le systeme d'interferometrie laser donne un meilleur controle du confinement lateral: c'est un avantage pour realiser des structures qui font intervenir des phenomenes de conversion de modes ou de couplage par ondes evanescentes