Dopage des films minces de ZnO : étude de l’insertion d’Al par spectroscopie d’absorption X et de l’interaction du Mg avec des couches ultra-minces épitaxiées sur Ag(111)
Auteur / Autrice : | Olivier Kerivel |
Direction : | Rémi Lazzari, Hervé Montigaud |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique et chimie des matériaux |
Date : | Soutenance le 13/12/2023 |
Etablissement(s) : | Sorbonne université |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Physique et chimie des matériaux (Paris) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut des nanosciences de Paris (1997-....) |
Jury : | Président / Présidente : Delphine Cabaret |
Examinateurs / Examinatrices : Nicolas Trcera | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Frédéric Leroy, David Horwat |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les films minces de ZnO sont aujourd’hui incontournable dans un grand nombre de domaine, tel que l’optoélectronique, le photovoltaïque, l’électronique flexible et le revêtement vérié, qui exploitent tous son caractère semi-conducteur et sa transparence dans le domaine visible. Dans beaucoup de ces applications, cet oxyde est dopé à l’Al (AZO) pour améliorer sa conductivité sans nuire à sa transmittance. C’est le cas notamment dans l’industrie verrière où l’AZO est utilisé, entre autre, comme couche d’accroche pour d’autres films minces. De ce dopage, peut résulter des problèmes d’adhésion ou de mouillage, en particulier à l’issue de traitements thermiques. Le premier objectif de cette thèse, a été de caractériser l’environnement de l’Al dans la structure würtzite, de couches de ZnO déposées par pulvérisation cathodique. Nous nous sommes intéressé aux effets que pouvaient avoir différentes condition de synthèse : comme le substrat (ZnO , Si ou Silice), le type de cible (métallique ou céramique), la concentration en Al, ou encore l’atmosphère de dépôts (avec ou sans oxygène). De plus, nous avons étudié les modifications que des recuits, haute température (800°C) réalisés en atmosphère oxydante (à l’air) ou réductrice (sous ultra-vide), pourraient entrainer sur la position ou l’environnement de l’Al au sein de ces couches. Pour répondre à ces question, nous avons eu recours aux techniques de caractérisation classique de couches mince (XPS, STM, LEED, AFM et XRD), ainsi qu’à des mesures sur grand instruments. Il a récemment été démontré qu’une couche suffisamment mince de ZnO (de l’ordre de quelques monocouches) déposée, sur substrat cristallin de maille hexagonale, comme l’Ag (111) ou le Pt (111), pouvait adopter une conformation pseudo graphitique (dite également de type h-BN). Le mécanisme de formation de cette nouvelle structure cristallographique, n’est pas encore totalement compris, mais elle pourrait présenter des propriétés inédite pour le ZnO. Ainsi, dans le second volet de cette thèse, nous nous sommes concentré sur le dépôt par évaporation réactive de couches ultra-minces de ZnO sur substrat d’Ag(111), afin de reproduire les résultats de la littérature et explorer les conditions de synthèse de ces films sub-nanométriques. Par la suite, nous avons explorer les possibilité de dopage de ces couches par le Mg, qui est un matériau couramment adjoins au ZnO dans le but de modifier ses propriétés électroniques. Nous avons donc chercher à comprendre l’influence que pouvait avoir l’ajout de Mg sur cette nouvelle structure.