Nitrures d’éléments III sur silicium : une plateforme de photonique intégrée de l’ultraviolet jusqu’au proche infrarouge
Auteur / Autrice : | Farsane Tabataba-Vakili |
Direction : | Philippe Boucaud |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance le 24/09/2020 |
Etablissement(s) : | université Paris-Saclay |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Electrical, optical, bio-physics and engineering |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Centre de nanosciences et de nanotechnologies (Palaiseau, Essonne ; 2016-....) - Photonique, électronique et ingénierie quantiques (Grenoble) |
référent : Faculté des sciences d'Orsay | |
Jury : | Président / Présidente : Maria Tchernycheva |
Examinateurs / Examinatrices : Nicolas Grandjean, Alfredo de Rossi, Yannick Dumeige, Michael Kneissl | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Nicolas Grandjean, Alfredo de Rossi |
Mots clés
Résumé
Les semi-conducteurs nitrures d’éléments III (AlN, GaN, InN et leurs alliages) sont devenus très importants dans notre vie quotidienne, car ils sont utilisés dans les diodes électroluminescentes blanches, bleues, vertes, et ultraviolettes, ainsi que pour des diodes lasers et l’électronique de puissance et hyperfréquence. Les matériaux nitrures sont fortement polyvalents grâce à leur grande bande interdite directe et accordable de l’ultraviolet jusqu’au visible. Ils donnent accès à une très large gamme d’applications électroniques, optoélectroniques, et photoniques. En photonique, un domaine très prometteur s’appuie sur la plateforme des nitrures d’éléments III sur silicium pour la prochaine génération de circuits photoniques intégrés grâce à sa grande fenêtre de transparence de l’ultraviolet jusqu’au proche infrarouge et la possibilité d’intégration monolithique d’émetteurs actifs comme des puits et boîtes quantiques. Dans cette thèse, nous étudions différents dispositifs photoniques à base de nitrures et leur intégration dans des circuits photoniques actifs et passifs à des longueurs d’onde allant de l’ultraviolet jusqu’au proche infrarouge. Nous démontrons des seuils lasers bas en pompage optique pulsé et les premiers circuits photoniques actifs à microlaser dans les gammes spectrales bleue et ultraviolette. Nous proposons également une approche pour l’injection électrique dans des micro-anneaux qui est compatible avec des circuits photoniques et nous étudions des nitrures d’éléments III collés sur SiO₂ comme plateforme pour des circuits photoniques passifs dans le proche infrarouge.