Thèse soutenue

Caractérisation et modélisation du vieillissement des circuits analogiques et RF en technologie 28 nm FDSOI
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Auteur / Autrice : Rania Lajmi
Direction : Philippe BenechSylvain Bourdel
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Nanoélectronique et nanotechnologie
Date : Soutenance le 04/10/2019
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut de microélectronique, électromagnétisme et photonique - Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation (Grenoble)
Jury : Président / Présidente : Didier Vincent
Examinateurs / Examinatrices : Hervé Barthélemy, Estelle Lauga-Larroze
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Guy Tartarin, Hervé Barthélemy

Résumé

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La fiabilité des circuits électroniques analogiques et mixtes fabriqués dans des technologies silicium utilisant des oxydes de métal est fortement affectée par les variations de processus, de tension et de température (PVT). De plus, des mécanismes de vieillissement tels que l’instabilité de la température de polarisation qui peut être à l’origine d’une dégradation des diélectriques et de la tension de seuil ou encore l’injection de porteurs chauds, impactent ces circuits. La dégradation induite par ces phénomènes affecte la durée de vie et des performances des composants et des circuits.Il existe dans la littérature de nombreuses études de la fiabilité des transistors MOS. Peu d’études ont été menées sur l’impact de leur fiabilité sur les circuits.Cette thèse présente les résultats des recherches sur les effets des mécanismes de vieillissement sur les performances de circuits analogiques et mixtes.La dégradation de la durée de vie est induite par la dégradation de la tension de seuil et du courant de drain. Des analyses sont effectuées sur la base de simulations de vieillissement prenant en compte les modèles des mécanismes de vieillissement développé par l’équipe et des mesures des circuits implémentés en technologie 28 nm FDSOI au sein de STMicroelectronics. Des tests accélérés ont été utilisés pour évaluer l’effet du vieillissement. Des techniques de correction appropriées pour surmonter la dégradation des performances des circuits, induite par le vieillissement sont proposées.Les performances DC et AC du LDO ont été analysés avant et après vieillissement. Le stress induit une dégradation de ses performances suite à l’effet du mécanisme HCI dans les transistors et au Matching induit dans la paire de transistors chargés de la régulation. Le LDO était surdimensionné pour ne pas subir de fortes dégradations. Une analyse sur l’évolution du rendement a été faite en utilisant l’outil WICKED de Mundea.Le bruit de jitter et le temps de verrouillage de la PLL ne sont pas impactés par le vieillissement et la PLL corrige elle-même toutes dégradations et déviations de ses paramètres de sortie. Pour cela, l’étude de l’un de ses blocs importants,le VCO, a été faite. Les résultats de mesure à 125 °C montre que la frequence d’oscillation du VCO a subi une dégradation significative. Tandis que le bruit de phase relatif n’a pas été impacté.L’extraction des performances statiques et dynamiques d’un CAN de type SAR a montré une dégradation significative du rapport signal sur bruit (SNR). Afin d’identifier le bloc responsable de cette dégradation, des simulations d’un seul CAN ont été faite. Le vieillissement a un impact significatif sur le comparateur. Le vieillissement impacte les fenêtres de temps pour chaque sous bloc du comparateur ce qui engendre une décision fausse de l’un de ces blocks d’où un signal erroné à la sortie du comparateur et par conséquent une erreur de codage et une dégradation des performances du CAN.L’étude de l’effet du vieillissement sur l’amplificateur de puissance a montré une dégradation importante des figures de mérites du PA sous l’effet d’un stress RF. Ces dégradations sont dues aux dégradations de paramètres du transistor tels que la transconductance gm et la résistance rds. Une solution pour limiter les effets de ces dégradations a été proposée. Basée sur le principe de détection et de polarisation adaptative, cette technique permet de changer la polarisation du PA afin d’amener les performances dégradées à leur valeur initiale.Sur la base de ces recherches, il est possible de conclure que les mécanismes de vieillissement de la technologie CMOS 28 nm FDSOI ne constituent pas un obstacle majeur au développement de circuits analogiques et mixtes. Cependant, une analyse minutieuse des effets du vieillissement au niveau du circuit, dès la phase de conception est nécessaire.L’ajout de détecteurs, comme dans le cas du PA, apporte des solutions efficaces de détection et d’amélioration des performances