Thèse soutenue

Caractérisation et fiabilité des mémoires embarquées non volatiles pour les nœuds technologiques 40nm et 28nm
FR  |  
EN
Accès à la thèse
Auteur / Autrice : Thibault Kempf
Direction : Pascal MassonJean-Michel Portal
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance le 19/12/2019
Etablissement(s) : Université Côte d'Azur (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies de l'information et de la communication (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP) (Marseille, Toulon)
Jury : Président / Présidente : Marc Bocquet
Examinateurs / Examinatrices : Pascal Masson, Jean-Michel Portal, Marc Bocquet, Damien Deleruyelle, Gilles Micolau
Rapporteurs / Rapporteuses : Damien Deleruyelle, Gilles Micolau

Résumé

FR  |  
EN

Les technologies mémoires 1.5Tr proposent des améliorations non négligeables en termes de performance et de fiabilité pour les microcontrôleurs visant les marchés florissants de l’automobile et de l’internet des objets. Dans cette thèse, une mémoire unique en son genre et innovante basé sur un transistor de sélection vertical et enterré et appelé « embedded Select Trench Memory » (eSTM) est présenté. Après un état de l'art concis, un chapitre est consacré à la présentation d'outils pour améliorer la caractérisation et l'analyse du transistor mémoire unitaire ou intégré dans une macrocell. Plus précisément des outils pour analyser les bitmaps des macrocell sont proposés afin d’évaluer et d'optimiser la fiabilité et la variabilité de la mémoire. Ces outils sont ensuite utilisés dans un chapitre sur la performance et la fiabilité intrinsèque de l'eSTM. Le mode de programmation résultant de la topologie de la cellule est décrit afin de comprendre les dépendances du mécanisme de programmation et les moyens de l'optimiser. L'amélioration de la fiabilité de l'oxyde tunnel est aussi étudié en tant que clé de la performance en cyclage et en rétention de l'eSTM. Enfin les limites et avantages de la miniaturisation de l'eSTM sont discutés. Dans le chapitre suivant, la variabilité extrinsèque de l'eSTM est étudiée sur la macrocell. Chacune des sources de variabilité est évaluée pour extraire leurs origines liées soit au procédé de fabrication ou au design du microcontrôleur. Ce chapitre se clot sur la relation entre la fiabilité et la variabilité de la cellule mémoire. L'importance de l'étude statistique par des moyens adéquates comme la macrocell est mise en valeur par le lien direct de cause à effet entre la variabilité et la fiabilité ce qui peut affecter la fiabilité du produit, et donc sa durée de vie ou son rendement.