TY  - THES
DP  - http://www.theses.fr/2018LYSEI110
TI  - Contribution to the study of the SiC MOSFETs gate oxide
AU  - Aviñó Salvadó, Oriol
A3  - Morel, Hervé
PY  - 2018
N1  - Thèse de doctorat Génie électrique Lyon 2018
N1  - 2018LYSEI110
UR  - http://www.theses.fr/2018LYSEI110/document
ER  -