Thèse soutenue

Étude de deux nouvelle approches pour la réalisation de cellule solaire à base d’InGaN
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Auteur / Autrice : Muhammad Arif
Direction : Jean-Paul SalvestriniAbdallah Ougazzaden
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance le 19/07/2016
Etablissement(s) : Université de Lorraine
Ecole(s) doctorale(s) : EMMA - Ecole Doctorale Energie - Mécanique - Matériaux
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LMOPS - Laboratoire Matériaux Optiques, Photoniques et Systèmes (Metz) - Laboratoire Matériaux Optiques- Photonique et Systèmes / LMOPS
École d’ingénieur : CentraleSupélec (2015-....)
Institut de recherche : GTL-CNRS télécom (Metz)
Jury : Président / Présidente : Abdelhadi Kassiba
Examinateurs / Examinatrices : Ali Ahaitouf, Zakaria Djebbour, Philippe Gros
Rapporteurs / Rapporteuses : Farid Medjdoub, Eva Monroy

Résumé

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Ce travail s’inscrit dans le cadre du développement de nouvelles applications des matériaux III-Nitrure en général, et de l’alliage InGaN en particulier, pour la réalisation de cellules solaires à base de multi-jonction. Les nombreux avantages du matériau InGaN, à savoir son coefficient d’absorption élevé (105 cm−1), sa résistance thermique élevée, et sa tolérance aux radiations ainsi que sa bande interdite couvrant presque tout le spectre solaire (0.64 - 3.4eV), en font un sérieux candidat pour les dispositifs photovoltaïques. Ainsi une cellule solaire à quadruple jonctions permettrait l’obtention d’une efficacité au-delà de 50%. Cependant, les enjeux technologiques tels que la séparation de phase, le manque de substrat approprié donnant lieu à de forte densité de dislocations, et la difficulté de réalisation du dopage de type-p, sont considérés comme des obstacles pour atteindre les performances attendues. L’objectif de ce travail est d’étudier deux nouvelles approches qui peuvent résoudre les problèmes cités précédemment pour la réalisation de cellules solaires de haute efficacité à base d’InGaN. La première approche est dite approche "semibulk". Elle consiste à élaborer une structure multicouches InGaN/GaN épaisse avec une optimisation de l’épaisseur de chaque couche (InGaN et GaN), de façon que les couches de GaN soient suffisamment épaisses pour être efficaces, et assez mince pour permettre le transport des porteurs de charges par effet tunnel. Les couches InGaN quant à elles, doivent être assez épaisses et nombreuses afin d’absorber efficacement le rayonnement lumineux et suffisamment minces pour éviter la relaxation et l’apparition de dislocations. La deuxième approche consiste en la croissance de nanostructures InGaN qui autorise une incorporation d’indium élevée avec un matériau complètement relaxé et sans dislocation. La complète relaxation du matériau permet en outre de s’affranchir de l’effet piézoélectrique qui conduit à une chute du rendement. Nous avons pu démontrer que les cellules photovoltaïques à base d’In0.08Ga0.92N réalisées suivant l’approche "semibulk" présentent un pic de rendement quantique de 85%, ainsi qu’une efficacité de conversion en conditions AM 1.5G, presque trois fois plus élevée que l’état de l’art. Les premiers résultats obtenus sur les cellules photovoltaïques à base de nanostructures d’In0.08Ga0.62N sont très encourageants