Thèse soutenue

Etude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante
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Auteur / Autrice : Benjamin Rebuffat
Direction : Romain LaffontPascal Masson
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
Date : Soutenance le 15/12/2015
Etablissement(s) : Aix-Marseille
Ecole(s) doctorale(s) : Ecole Doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille)
Partenaire(s) de recherche : Institut : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP) (Marseille, Toulon)
Société : Société STMicroelectronics Rousset SAS
Jury : Président / Présidente : Gilles Micolau
Examinateurs / Examinatrices : Marc Mantelli, Jean-Luc Ogier
Rapporteurs / Rapporteuses : Gilles Micolau, Liviu Militaru

Résumé

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De nombreuses applications industrielles spécifiques dans les secteurs tels que l’automobile, le médical et le spatial, requièrent un très haut niveau de fiabilité. Dans ce contexte, cette thèse traite de l’étude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante de type NOR Flash. Après une introduction mêlant l’état de l’art des mémoires non volatiles et la caractérisation électrique des mémoires Flash, une étude sur l’effet des signaux de polarisation a été menée. Un modèle a été développé afin de modéliser la cinétique de la tension de seuil durant un effacement. L’effet de la rampe d’effacement a été montré sur les cinétiques mais aussi sur l’endurance. Une étude sur la durée de vie de l’oxyde tunnel a ensuite montré l’importance de l’utilisation d’un stress dynamique. Nous avons caractérisé cette dépendance en fonction du rapport cyclique et du champ électrique appliqué. Enfin l’endurance de la cellule mémoire Flash a été étudiée et les effets de la relaxation durant le cyclage ont été analysés.