Thèse soutenue

Caractérisation d’une photodiode germanium sur silicium en vue d’une utilisation source de bruit intégrée térahertz
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Auteur / Autrice : Sandrine Oeuvrard
Direction : François DannevilleJean-François LampinDaniel Gloria
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Date : Soutenance le 20/11/2014
Etablissement(s) : Lille 1
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Entreprise : STMicroelectronics

Résumé

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Aujourd’hui, l’amélioration des fréquences de coupure des transistors MOS et bipolaires ouvre la voie à de nouvelles applications THz (communication et imagerie au-delà de 110 GHz). Des méthodologies de test concernant la caractérisation en bruit hyperfréquence des transistors jusque 170 GHz ont été mises en place dans la cadre du laboratoire commun entre STMicroelectronics et l’IEMN. Cependant, une des limitations principales à la conception d’un outil de caractérisation en bruit au-delà de 170 GHz est le manque de source de bruit état-solide à ces fréquences. Cette thèse propose un nouveau type de source de bruit aux fréquences millimétriques pouvant fonctionner au-delà de 170 GHz, basée sur une solution photonique intégrée sur silicium. Cette source de bruit photonique repose sur l’éclairage d’une photodiode en germanium sur silicium par une source optique qui sera alors convertit en un bruit blanc électrique.