Thèse soutenue

Optimisation du couple revêtement anti-adhérent / matériau de creuset pour la cristallisation du silicium photovoltaïque - Application au moulage direct des wafers de Si
FR  |  
EN
Accès à la thèse
Auteur / Autrice : Charles Huguet
Direction : Denis CamelNicolas Eustathopoulos
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Génie civil
Date : Soutenance le 14/11/2012
Etablissement(s) : Grenoble
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Ingénierie - matériaux mécanique énergétique environnement procédés production (Grenoble ; 2008-....)
Partenaire(s) de recherche : Equipe de recherche : Sciences et Ingénieurie des Matériaux et des Procédés
Laboratoire : Science et Ingenierie, MAtériaux Procédés
Jury : Président / Présidente : Thierry Duffar
Examinateurs / Examinatrices : Denis Camel, Nicolas Eustathopoulos, Daniel Mathiot, Philippe Chemin
Rapporteurs / Rapporteuses : Olivier Dezellus, Constantin Vahlas

Mots clés

FR  |  
EN

Mots clés contrôlés

Résumé

FR  |  
EN

Compte tenu de l'utilisation envisagée du graphite comme matériau de creuset à la place de la silice frittée pour la cristallisation dirigée des lingots de silicium multcristallin de qualité photovoltaïque, un objectif majeur de la thèse était de développer un revêtement spécifique au matériau de moule sélectionné. Une première tâche de ce travail a consisté à définir très précisément les conditions de fonctionnement du couple revêtement anti-adhérent / matériau de creuset et les modifications à apporter au procédé afin d'utiliser le revêtement standard à base de poudre de Si3N4 sur graphite, La deuxième tâche de la thèse a consisté à mettre en place le procédé de moulage à partir d'une étude préliminaire basée sur une configuration simplifiée de moulage par écrasement où un morceau de silicium s'étale à l'intérieur du moule au cours de sa fusion. Le but recherché est de mettre en évidence les conséquences de la configuration « moulage » (caractérisée par un rapport élevé surface de contact / volume de Si a priori très défavorable) et des conditions thermiques (gradient et vitesse de solidification) sur l'adhérence (collage), la pollution par le revêtement et la structure cristalline du silicium.