Thèse soutenue

Croisssance électrolytique du cuivre appliquée à la technologie "system-in-package"
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Auteur / Autrice : Cheng Fang
Direction : Alain Le Corre
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Discipline Physique
Date : Soutenance en 2011
Etablissement(s) : Rennes, INSA

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Cette thèse porte sur l’optimisation d’un procédé de dépôt électrolytique de cuivre (ECD) et son application pour la réalisation des vias traversants de silicium (TSVs) dans un dispositif en boîtier (SiP) conçus par NXP Semiconductors. Le dépôt par ECD a été effectué dans une machine industrielle sur des plaques de six pouces ayant une couche de nucléation de cuivre. L’électrolyte est une solution composée du sulfate de cuivre, de l’acide sulfhydrique, de l’acide chlorure et des trois additifs (JGB, SPS et PEG). Dans un premier temps, le dépôt est étudié en fonction des paramètres de courant appliqué. Nous observons que seul le régime de courant pulsé est capable de donner lieu à un dépôt super-conforme. Dans un second temps, d’autres paramètres concernant notamment les conditions hydrodynamiques lors du dépôt sont évalués. Nous trouvons qu’une orientation perpendiculaire du flux d’électrolyte vis-à-vis de la plaque est critique pour accélérer le dépôt dans le fond des vias.