Analyse des modèles résines pour la correction des effets de proximité en lithographie optique

Resist modeling analysis for optical proximity correction effect in optical lithography

• Auteur / Autrice : Mame Kouna Top
• Direction : Patrick Schiavone
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro et nano électronique
• Date : Soutenance le 12/01/2011
• Etablissement(s) : Grenoble
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire des technologies de la microélectronique (Grenoble) - ELECTRONIQUE, ELECTROTECHNIQUE, AUTOMATIQUE ET TRAITEMENT DU SIGNAL
• Jury : Président / Présidente : Pierre Benech
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Patrick Schiavone, Philippe Pagès, Jérôme Belledent
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : François Flory, Régis Orobtchouk

Mots clés

Mots clés libres

Microélectroniques

Photolithographie

OPC (Correction des effets de proximité optique)

Modèle Résine

Métrologie

Valeurs aberrantes

Ensemble d’apprentissage

Validation de modèles

Modélisation de données

Microelectronics

Photolithography

OPC (Optical Proximity Correction)

Resist Models

Metrology

Outliers

Learning Data

Model validation

Data modelling

Statistical analysis

Résumé

Les progrès réalisés dans la microélectronique répondent à la problématique de la réduction des coûts de production et celle de la recherche de nouveaux marchés. Ces progrès sont possibles notamment grâce à ceux effectués en lithographie optique par projection, le procédé lithographique principalement utilisé par les industriels. La miniaturisation des circuits intégrés n’a donc été possible qu’en poussant les limites d’impression lithographique. Cependant en réduisant les largeurs des transistors et l’espace entre eux, on augmente la sensibilité du transfert à ce que l’on appelle les effets de proximité optique au fur et à mesure des générations les plus avancées de 45 et 32 nm de dimension de grille de transistor.L’utilisation des modèles OPC est devenue incontournable en lithographie optique, pour les nœuds technologiques avancés. Les techniques de correction des effets de proximité (OPC) permettent de garantir la fidélité des motifs sur plaquette, par des corrections sur le masque. La précision des corrections apportées au masque dépend de la qualité des modèles OPC mis en œuvre. La qualité de ces modèles est donc primordiale. Cette thèse s’inscrit dans une démarche d’analyse et d’évaluation des modèles résine OPC qui simulent le comportement de la résine après exposition. La modélisation de données et l’analyse statistique ont été utilisées pour étudier ces modèles résine de plus en plus empiriques. Outre la fiabilisation des données de calibrage des modèles, l’utilisation des plateformes de création de modèles dédiées en milieu industriel et la méthodologie de création et de validation des modèles OPC ont également été étudié. Cette thèse expose le résultat de l’analyse des modèles résine OPC et propose une nouvelles méthodologie de création, d’analyse et de validation de ces modèles.

The Progress made in microelectronics responds to the matter of production costs reduction and to the search of new markets. These progresses have been possible thanks those made in optical lithography, the printing process principally used in integrated circuit (IC) manufacturing.The miniaturization of integrated circuits has been possible only by pushing the limits of optical resolution. However this miniaturization increases the sensitivity of the transfer, leading to more proximity effects at progressively more advanced technology nodes (45 and 32 nm in transistor gate size). The correction of these optical proximity effects is indispensible in photolithographic processes for advanced technology nodes. Techniques of optical proximity correction (OPC) enable to increase the achievable resolution and the pattern transfer fidelity for advanced lithographic generations. Corrections are made on the mask based on OPC models which connect the image on the resin to the changes made on the mask. The reliability of these OPC models is essential for the improvement of the pattern transfer fidelity.This thesis analyses and evaluates the OPC resist models which simulates the behavior of the resist after the photolithographic process. Data modeling and statistical analysis have been used to study these increasingly empirical resist models. Besides the model calibration data reliability, we worked on the way of using the models calibration platforms generally used in IC manufacturing.This thesis exposed the results of the analysis of OPC resist models and proposes a new methodology for OPC resist models creation, analysis and validation.