VDMOSFETs en commutation : amélioration, durcissement

par Rony El Bitar

Thèse de doctorat en Sciences de l'ingénieur. Microélectronique

Sous la direction de Pierre Mialhe.

Soutenue en 2008

à Perpignan , dans le cadre de École doctorale Énergie environnement (Perpignan) .


  • Résumé

    Ce mémoire a pour but de suivre la dégradation des composants de puissance VDMOSFET sous conditions extrêmes de haute tension et haute température. Les composants sont soumis à des hautes tensions électriques pour induire un courant inverse nuisible à la jonction intégrée. Une autre méthode de contrainte électrique est utilisée, c’est la dégradation de la couche d’oxyde par effet de champ électrique élevé. Une attention particulière est donnée pour le suivi de la caractéristique de commutation de ces composants. Dans certain cas un gain de rapidité est observé dépendamment de la nature des défauts crée��s et leur emplacement géométrique. La rapidité de commutation est aussi fonction de la température. Les défauts ainsi créés sont ensuite caractérisés par une suite de mesures de capacités grille-source et grille-drain. Des décalages des courbes sont observés dans les deux sens comme conséquence de la charge totale des défauts. La finalité de ce travail est d’introduire une nouvelle méthode de suivi de fiabilité des composants électroniques par l’observation de leurs caractéristiques de commutation

  • Titre traduit

    VDMOSFETs in commutation : amelioration, hardening


  • Résumé

    The aim of this work is to follow the degradation of VDMOSFET power devices under extrem conditions of high voltages and high temperature. The devices are subjected to high electric voltages in order to induce a reverse current that is harmful to the integrated junction. Another method of stress is used; it is the degradation of the oxide layer by high electric field. A particular attention is given to the follow up of the switching characteristics of these devices. In certain cases a gain of speed is observed depending on the nature of defects and their geometrical emplacement. The switching speed is also a function of temperature. The defects created are then characterized by a series of capacitance measurements on gate-source and gate-drain terminals. Curves shifting are observed in both directions depending on the total charge of defects. The finality of this work is to introduce a new method to follow up the degradation of electronic devices by monitoring their switching characteristic

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Informations

  • Détails : 1 vol. (iii-140 f.)
  • Annexes : Bibliogr. f. 103-108

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH 2008 ELBI
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