Thèse soutenue

Conception, réalisation et caractérisation de composants photoniques intégrés à base de matériaux diélectriques élaborés par procédés plasmas
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Auteur / Autrice : Thomas Begou
Direction : Antoine GoulletBruno Bêche
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Science des matériaux
Date : Soutenance en 2008
Etablissement(s) : Nantes
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Nantes. Faculté des sciences et des techniques

Résumé

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Ce travail de thèse est consacré à la conception, la réalisation et la caractérisation de composants photoniques intégrés à base de matériaux diélectriques élaborés à basse température, sur substrat silicium, par procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La fonction principalement visée est le guidage optique en configuration monomode. Les guides d'ondes sont conçus et simulés par des approches analytiques, déduites du formalisme des ondes électromagnétiques de Maxwell. Cette étape conduit aux dimensionnements du cœur et de la gaine de structures multi ou monomodales. Une première famille de guide de type Si/SiO2/SiOxCyHz est développée à partir de matériaux organosiliciés élaborés en plasma de mélange oxygène/hexaméthyldisiloxane. La caractérisation optique de ces films est réalisée par ellipsométrie spectroscopique. Les pertes optiques, associées à une propagation monomode transverse électrique (TE) ou transverse magnétique (TM), sont mesurées à partir d'un banc d'injection micronique équipé d'un laser à 670 nm. De nouveaux matériaux, à base d'oxyde de titane, particulièrement adaptés au développement d'une photonique à fort degré d'intégration (indice de réfraction élevé) ont été synthétisés à partir d'isopropoxyde de titane (TIPT) utilisé avec gaz porteur et dilué dans l'oxygène. Des propriétés potentiellement intéressantes ont été obtenues pour de fortes dilutions du TIPT. Une amélioration sensible des propriétés optiques (nTiO2=2,36 à 633 nm) et une densification des couches sont mises en évidence lorsque les échantillons sont synthétisés avec une faible polarisation radiofréquence (13,56 MHz) appliquée au niveau du porte substrat.