Auteur / Autrice : | Mohamed Aimadeddine |
Direction : | Yves Bréchet, Fabien Volpi |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et génie des matériaux |
Date : | Soutenance en 2008 |
Etablissement(s) : | Grenoble INPG |
Résumé
Afin de satisfaire aux besoins des performances des circuits CMOS sub-45nm, les diélectriques SiOCH poreux à très basse permittivité (k~2. 5) sont intégrés comme isolants entre les lignes d'interconnexions des transistors. Cependant, les procédés élémentaires d'intégration damascène entraînent des modifications physico-chimiques de ces matériaux, altérant leur performance et leur fiabilité après intégration. Pour pallier ces problématiques d'intégration, des traitements de fiabilisation des interfaces poreuses basés sur des traitements plasma ou le dépôt d'une couche diélectrique interfaciale sont étudiés. L'impact de ces traitements sur les performances et la fiabilité des Interconnexions est examiné. De même, le comportement électrique intrinsèque d'une structure d'interconnexions après l'intégration d'un diélectrique poreux est abordé. L'effet de la porosité du diélectrique SiOCH sur le mécanisme de conduction ainsi que sur le claquage diélectrique après intégration est analysé.