Thèse soutenue

Apports et limitations des dispositifs multi-grilles sub-45 nm pour la conception des mémoires SRAM
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Auteur / Autrice : Bastien Giraud
Direction : Amara Amara
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique et communications
Date : Soutenance en 2008
Etablissement(s) : Paris, ENST

Mots clés

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Résumé

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Alors que les dispositifs sur substrat massif approchent les limites fondamentales de la physique, de nouvelles structures de transistor, telles que les dispositifs double-grilles apparaissent. Ces derniers présentent un excellent contrôle électrostatique du canal, un meilleur ratio Ion/Ioff et une robustesse aux variations. Il offre d'une part la possibilité de connecter ou de déconnecter les deux grilles et d'autre part la possibilité que la contribution de ces deux grilles soit identique ou différente. L'augmentation de la densité d'intégration et l'émergence des systèmes portables et de communication conduisent à un accroissement de la taille du bloc mémoire et de sa puissance dissipée. Les mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) doivent permettre des opérations à la fois hautes performances pour traiter les applications multimédias et basses consommations afin de prolonger la durée de la batterie. L'objectif de la thèse est d'analyser et de caractériser les potentialités de ces nouveaux dispositifs double-grilles pour la conception des mémoires SRAM. Dans cette thèse, des cellules mémoires et des circuits de lecture sont proposés. Concernant les points mémoire, la grille supplémentaire a permis d'améliorer la majorité des critères et ainsi de s'affranchir du compromis entre certains de ces critères. Ainsi, les points mémoire proposés possèdent des marges de fonctionnement trés élevées. Concernant les circuits de lecture, les innovations ont essentiellement porté sur l'introduction de nouveaux points d'entrée et de nouvelles contre-réactions, améliorant le délai et la robustesse à tension d'alimentation nominale (1,V) et à basse tension (0,6V).