Etude de la gravure assistée par plasma du semi-conducteur II-VI HgCdTe pour application à la fabrication de détecteurs infrarouge multispectraux

par Elise Laffosse

Thèse de doctorat en Matériaux pour l'Electronique et Ingénierie des Plasmas

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 2005

à Toulouse, INSA .

mots clés

• HgCdTe
• Icp
• Gravure par plasma
• Détecteurs de rayonnement infrarouge
• Spectroscopie

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