Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés - TEL - Thèses en ligne Accéder directement au contenu
Thèse Année : 2004

FeRAM technology: reliability and failure mechanisms of elementary and integrated ferroelectric capacitors

Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés

Résumé

The industrial development of the FeRAM technology (providing non volatility, fast access and low power consumption) is still limited by the reliability of the integrated ferroelectric capacitor. The PhD work, focused on the understanding of failure mechanisms, was based on both electrical and microstructural studies of elementary capacitors, test vehicles and chips. The degradation of the ferroelectric properties of elementary capacitors under electrical stresses was correlated to their microstructural evolution. Furthermore, X-ray irradiation has revealed as an accelerating factor of degradation. Concerning the advanced technological devices, synchrotron techniques and electron microscopy, associated with reliability testing, enabled to correlate the failure mechanisms with the capacitor microstructure, its geometry (planar or 3D) and the integration steps.
Le développement industriel de la technologie FeRAM (assurant non volatilité, accès rapide et faible consommation) est aujourd'hui limité par la fiabilité du condensateur ferroélectrique intégré. Le travail de thèse, axé sur la compréhension de ses modes de défaillance, a consisté à associer des analyses électriques et microstructurales sur des condensateurs élémentaires, des véhicules de test et des composants. La dégradation des propriétés ferroélectriques de condensateurs élémentaires, sous stresses électriques, a été corrélée à leurs évolutions microstructurales. L'irradiation X s'est également avérée un facteur accélérateur de cette dégradation. Sur les objets technologiques avancés, les techniques synchrotron et la microscopie électronique, associées aux tests de fiabilité, ont permis de corréler les modes de défaillance à la nature du condensateur, à sa géométrie (planaire ou 3D) et aux étapes technologiques utilisées.
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Dates et versions

tel-00008576 , version 1 (25-02-2005)

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  • HAL Id : tel-00008576 , version 1

Citer

Nicolas Menou. Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés. Matière Condensée [cond-mat]. Université du Sud Toulon Var, 2004. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00008576⟩
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