Thèse soutenue

Modélisation numérique de décharges contrôlées par barrières diélectriques à la pression atmosphérique : application à l'étude des précurseurs de poudres en mélange N2-N2O-SiH4

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Auteur / Autrice : Catherine Khamphan
Direction : Pierre Ségur
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique et ingénierie des plasmas de décharge
Date : Soutenance en 2004
Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

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L'objectif de ce travail est de modéliser la formation de poudres dans une décharge contrôlée par barrière diélectrique fonctionnant à la pression atmosphérique en mélange N2-N2O-SiH4. Ces décharges sont notamment utilisées pour l'activation de surface polymères depuis plusieurs années, et l'apparition de poudres est un facteur limitant pour cette application. Les décharges contrôlées par barrière diélectrique sont des décharges impulsionnelles. Elles sont normalement constituées d'une multitude de micro-décharges. Cependant, sous certaines conditions, il est possible d'obtenir une décharge homogène (de Townsend) constituée d'un seul canal de décharge recouvrant uniformément toute la surface des électrodes. Dans un premier temps, nous avons étudié le mécanisme responsable de l'obtention d'une décharge de Townsend dans l'azote, le gaz majoritaire de notre décharge. Le modèle fluide unidimensionnel que nous avons développé a permis de mettre en évidence le rôle primordial de l'émission secondaire d'électrons induite par l'impact des métastables N2(A3S+u) à la cathode. Nous avons ensuite étudié la formation de poudres dans une décharge de Townsend en mélange N2 - N2O - SiH4. . Un schéma réactionnel décrivant la polymérisation d'espèces oxydées du silane contenant jusqu'à dix atomes de Si a été établi. Les réactions chimiques ainsi que les constantes de vitesse appropriées ont été sélectionnées en tenant compte de l'influence de la température et de la pression du gaz. Dans l'hypothèse d'une nucléation homogène (basée sur les neutres), la modélisation numérique a permis d'identifier les espèces à l'origine des poudres.