Thèse de doctorat en Électronique des hautes fréquences et optoélectronique
Sous la direction de Jean-Michel Nébus.
Soutenue en 2004
à Limoges , en partenariat avec Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .
Ce travail concerne la technique de modélisation comportementale adoptée pour les amplificateurs des terminaisons RF des systèmes de communication. L’objectif de la méthode de modélisation proposée est de caractériser et d’intégrer efficacement les effets de mémoire non linéaires des amplificateurs de puissance à l’état solide. Le modèle proposé consiste à combiner sous la forme d’une modulation deux fonction de transfert équivalentes passe bas dérivées des séries de Volterra dynamiques. Les potentialités du modèle sont ensuite évaluées par comparaison entre des simulations circuit et des simulations système. Dans le souci de valider le nouveau model de Volterra à partir de données expérimentales, une modélisation d’amplificateur grâce un banc de mesure d’enveloppe temporelle est présentée
Behavioral modeling of power amplifier with memory for large band application used in telecommunication and RADAR systems
This work deals with a behavioral modeling technique for amplifier used in RF front ends of communication systems. The aim of the proposed modeling approach is to characterize and integrate efficiently the long and short term non linear memory effects which are present in solid state amplifier. The proposed model consists on a combination in a modulation form of two low pass equivalent transfer function derived from dynamic Volterra series. The potentiality of the model are evaluated by a comparison between system level and circuit level simulations. In order to validate the new Volterra model by experimental way, an amplifier modeling by using time domain envelope set up is presented