Contributions à l'étude de la diffusion, de l'agglomération et de l'activation du bore dans le silicium : application à la réalisation de jonctions ultraminces P+/N pour le MOS fortement submicronique

par Xavier Hébras

Thèse de doctorat en Matériaux technologies et composantes de l'électronique

Sous la direction de Alain Claverie et de Filadelfo Cristiano.

Soutenue en 2003

à Toulouse 3 .

mots clés

• Jonctions ultraminces
• Implantation ionique
• Diffusion du bore
• Agglomération du bore
• Activation du bore
• Transistor submicronique
• Spreading resistance
• CMOS technologie
• Diffusion (physique)
• Bore
• Semiconducteurs -- Jonctions
• MOS complémentaires

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Titre traduit

Contributions to the study of boron diffusion, agglomeration and activation into silicon : application to the realization of ultrashallow junctions for the submicron CMOS technologies

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