L'effet tunnel dépendant du spin comme sonde du micromagnétisme et du transport d'électrons chauds : application aux capteurs

• Auteur / Autrice : Daniel Lacour
• Direction : Alain Schuhl
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique et chimie de la matière et des matériaux
• Date : Soutenance en 2002
• Etablissement(s) : Nancy 1
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université Henri Poincaré Nancy 1. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors

Électrons

Géomagnétisme

Électrodes

Effet tunnel

Résumé

L'effet tunnel dépendant du spin dans les structures métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique fait l'objet de nombreuses études motivées par de multiples applications (capteurs de champ magnétique, mémoires vives magnétiques non volatiles, têtes de lecture, etc). La résistance de ces dispositifs est liée à l'orientation relative des aimantations de chacune des électrodes. Au cours de ce travail de thèse, l'extrême sensibilité de l'effet tunnel dépendant du spin à la configuration magnétique des électrodes a été utilisée à la fois comme une sonde du comportement micromagnétique des électrodes et pour réaliser des capteurs de champ magnétique. De plus, l'élaboration de doubles jonctions tunnel magnétiques à trois entrées a permis mettre en évidence la présence d'un courant d'électrons chauds qui pourrait être à la base d'un nouveau type de transistor magnétique.

Studies of the spin dependent tunneling effect in ferromagnetic metal /insulating/ferromagnetic metal stacks are being actively pursued for their high application potential (magnetic sensors, random access memories, read heads ). The resistance of these devices is directly link to the relative orientation of the electrode magnetizations. The high sensitivity of spin dependent tunneling effect to the electrodes magnetic configuration has been used both as a probe for the micromagnetic behavior of the electrodes and to realize magnetic sensors. Moreover, double tunnel junctions with three terminals have been prepared. This 3-terminals device allowed us to evidence an hot electron current which is forecast to be on the base of a new kind of transistor.