Facteur d'idéalité d'une jonction : réalité ou illusion ?

• Auteur / Autrice : Mario El Tahchi
• Direction : Pierre Mialhe
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences fondamentales. Micro-électronique
• Date : Soutenance en 2001
• Etablissement(s) : Perpignan

Mots clés

Mots clés contrôlés

Transistors

Spectroscopie

Résumé

Ce travail propose un modèle permettant une description des phénomènes de transport des protéines dans une jonction, caractéristiques de la structure de chaque zone du point de fonctionnement qui impose un régime d'injection. Il introduit une tension de transition mesurable simplement sur les caractéristiques courant-tension et qui montre l'apparition d'un régime de forte injection localisé dans une partie du composant. La mesure de cette tension de transition, sur les caractéristiques I-V des jonctions émetteur-base des transitions bipolaires a été réalisée tout au long d'un viellissement imposé par une forte contrainte électrique. Notre modèle conduit à une description de la dégradation du transistor par la formation des défauts localisés au voisinage de la zone de charge d'espace. Outre l'évolution de la densité de défauts, leur localisation est discutée puisque nous prouvons l'évolution vers le haut de la bande interdite de leurs niveaux d'énergie.