Caractérisation éléctrique capacité-tension (C-V) à différentes températures des défauts créés dans les films ultra-minces de dioxyde de silicium (SiO2)

High/low temperature C-V Characterization of defects in ultra thin SiO2 films

• Auteur / Autrice : Jean-Yves Rosaye
• Direction : Pierre Mialhe
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro-électronique
• Date : Soutenance en 2001
• Etablissement(s) : Perpignan en cotutelle avec Nagoya

Mots clés

Mots clés contrôlés

Surfaces (technologie)

Silice

Silicium -- Couches minces

Silicium -- Substrats

Thermochimie

Diélectriques

Résumé

Lorsqu'une structure MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) est soumise à une perturbation extérieure (exemple : un fort champ électrique, ou une radiation) il y a génération de défauts dans la couche d'oxyde et à l'interface oxyde-semiconducteur. Si on arrive aisément à mesurer séparément les états d'interface (défauts d'interface Si/SIO2) et les défauts d'oxyde à l'aide des méthodes électriques, il nous est actuellement difficile de séparer entre les différents types de défauts d'oxydes (charge positive, négative et pièges de bords). Dans ce travail, on envisage l'utilisation d'une procédure qu'on définit et qui dérive d'une méthode capacitive connue sous le nom de méthode de Jenq pour apporter des informations supplémentaires sur la démarche à suivre afin de séparer entre les différents types de défauts d'oxyde.