Contribution à l'étude des effets des radiations ionisantes sur les technologies bipolaires : Application au durcissement des circuits intégrés linéaires

Contribution to the study of the ionizing radiation effects on bipolar technologies : application to the hardening of linear integrated circuits

• Auteur / Autrice : Renaud Briand
• Direction : André Touboul
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
• Date : Soutenance en 2001
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Simulation, Méthodes de

Effets des rayonnements

Circuits intégrés bipolaires

Résumé

L'utilisation des circuits intégrés analogiques dans les environnements radiatifs pose le problème de leur tenue aux différents effets induits par les particules et les rayonnements. Le premier chapitre de cette thèse présente les origines des radiations ainsi que les différentes topologies de transistors bipolaires. Les effets des radiations ionisantes sur les composants bipolaires, que sont la dose cumulée, le débit de dose et les événements singuliers, sont détaillés dans trois chapitres distincts. Ainsi, la même démarche scientifique est employée pour chacun de ces effets. La simulation des phénomènes physiques de dégradation des composants permet d'établir des modèles électriques originaux issus de la compréhension des mécanismes induits. Ces modèles sont ainsi utilisés afin d'évaluer les dégradations subies par les circuits analogiques linéaires. Des méthodes de durcissement, courantes et originales, dont certaines sont appliquées à des circuits intégrés en technologies bipolaires, sont exposées. Enfin, des techniques expérimentales de test par faisceau laser, utilisées pour reproduire le débit de dose et les évènements singuliers, sont présentées.