Auteur / Autrice : | Nicolas Cavassilas |
Direction : | Frédéric Aniel |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et techniques |
Date : | Soutenance en 2000 |
Etablissement(s) : | Paris 11 |
Résumé
Dans cette these nous presentons une etude du phenomene d'ionisation par choc dans les semi-conducteurs. Nous avons ecrit un programme de resolution deterministe de l'equation de transport de boltzmann qui nous a permis de calculer les coefficients d'ionisation dans des materiaux massif. Ce programme original, permet d'obtenir directement la solution a l'etat stationnaire sans faire d'hypothese sur une eventuelle condition initiale. Afin d'appliquer ce programme au transport a fort champ (500 kv/cm) qui implique la prise en compte des electrons a hautes energie (3,5 ev), nous avons calcule les structures de bandes des semi-conducteurs a l'aide de la theorie k. P avec un modele sp 3s*d. Ce modele qui n'avait jamais ete utilise en theorie k. P donne de tres bons resultats pour les quatres premieres bandes de conductions sur toute la zone de brillouin jusqu'a des energies de 4 ev au-dessus du bas de la bande de conduction. Le programme de resolution de l'equation de boltzmann a egalement ete applique a une etude de la recombinaison radiative dans un semi-conducteur place dans un champ electrique (<25 kv/cm). Les resultats de cette etude donnent de precieux renseignement concernant l'interpretation qui peut etre faite des temperatures equivalentes de porteurs, determinees a partir de spectres de luminescence. Tous ces resultats de modelisation nous ont permis de mieux interpreter les resultats de mesure d'electroluminescence. Ces dernieres ont ete menees sur des hemt a canal composite sur inp (opto+) et sur des hemt metamorphique sur gaas (iemn). Ces deux composants originaux apportent une alternative au hemt sur inp traditionnel qui est particulierement sensible a l'ionisation par choc.