Relations entre propriétés optiques et structures électroniques dans de nouveaux matériaux des familles Ln-M-S-X (Ln=La, Ce, M=P, Si, Ge, Sb et X=Cl, Br, I)
par Delphine Gout
Thèse de doctorat en Sciences des matériaux. Physicochimie du solide
Sous la direction de Raymond Brec.
Soutenue en 2000
à Nantes .
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Résumé
Ce mémoire porte sur l'étude de plusieurs familles ternaires et quaternaires contenant La et Ce et appartenant aux systèmes Ln-M-Q-X, Ln-P-Q et Ln-Sb-S-Br (Ln=La, Ce, M=Si, Ge, X=Cl, Br, I). Ces composés possèdent une chimie structurale riche et de nombreuses propriétés physiques intéressantes du fait du degré élevé de coordination des ions LnIII et de la présence d'orbitales 4f très localisées. Il est possible de modifier par effet inductif la covalence de la liaison Ce-S, et donc le gap 4f-5d, en substituant les différents éléments constituants ces matériaux.
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Résumé
The aim of this work was the study of cerium and lanthanum compounds belonging to the Ln-M-Q-X, Ln-P-Q and Ln-Sb-S-Br (Ln=La, Ce, M=Si, Ge, X=Cl, Br, I) systems. These compounds present a rich structural chemistry and widely varying physical properties related to a high coordination number of the LnIII cations and the occurrence of very localized 4f orbitals.
