Remplacement du tasi 2 par wsi 2 pour la realisation des grilles des transistors des cellules des memoires eeprom : optimisation du procede

par KARINE OGIER MONNIER

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Olivier Bonnaud.

Soutenue en 1999

à Rennes 1 .

mots clés

Résumé

L'objectif de ce travail de these a consiste a qualifier et optimiser le depot des grilles des memoires eeprom en polycide de tungstene. Ces grilles sont destinees a remplacer les grilles en polycide de tantale. Les etudes realisees sur les structures de test ont permis d'etablir que les capacites mos avec une grille en ta-polycide presentent une meilleure resistance a l'injection d'electrons et que les cellules memoires presentent une meilleure endurance. Malgre ces avantages, il a ete decide d'introduire le siliciure de tungstene pour tenter d'ameliorer la fiabilite des memoires eeprom. Deux chimies de depot des couches de siliciure de tungstene ont ete comparees : la premiere utilise la reduction du monosilane (sih 4) par l'hexafluorure de tungstene (procede ms), la seconde utilise la reduction du dichlorosilane (sih 2cl 2) par l'hexafluorure de tungstene (procede dcs). La comparaison des deux procedes pour des dispositifs realises avec des oxydes de grille et tunnel sec a montre que ce dernier presente un certain nombre d'avantages en ce qui concerne les caracteristiques du depot obtenu. Par contre, les performances de la memoire n'ont pas ete suffisantes pour le retenir. Le procede ms a alors ete retenu. Les etudes precedentes pour determiner la chimie de depot optimale du siliciure de tungstene pour remplacer le siliciure de tantale ont fait apparaitre la necessite d'optimiser certaines etapes du procede de fabrication : croissance de l'oxyde tunnel, optimisation du depot de la couche de silicium dope, optimisation du rapport des epaisseurs des deux couches qui constituent le polycide de tungstene, gravure des espaceurs, recuit oxydant du siliciure les differentes etudes menees sur les etapes technologiques decrites auparavant ont permis de definir un procede de fabrication qui ameliore les performances des memoires non volatiles de type eeprom.

Pas de résumé disponible.