Modélisation des effets des radiations ionisantes sur les composants bipolaires

• Auteur / Autrice : Xavier Montagner
• Direction : André Touboul
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1999
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Algorithmes génétiques

Endommagement, Mécanique de l' (milieux continus)

Rayonnements ionisants

Transistors bipolaires

Résumé

Ce travail présente la modélisation des effets des radiations ionisantes sur les composants bipolaires, et plus particulièrement leur comportement vis-à-vis de la dose totale déposée. Le premier chapitre présente les différents environnements radiatifs. L'accent est mis sur les environnements spatiaux et sur les nouveaux environnements émergents. Les cas spécifiques des composants et technologies bipolaires sont ensuite abordés, après une présentation des différentes interactions susceptibles d'affecter le comportement des composants. Les mécanismes physiques liés au débit de dose sont également abordés. Le second chapitre présente une analyse physique des dégradations induites par la dose cumulée sur les composants bipolaires, introduite par des simulations à l'aide du logiciel ATLAS (SILVACO). Le troisième chapitre expose une modélisation électrique empirique des dégradations induites par la dose cumulée sur les composants bipolaires en régime statique. Une procédure originale d'extraction associée aux paramètres radiatifs est présentée, mêlant un algorithme génétique associé à l'algorithme plus classique de Levenberg-Marquardt. Le dernier chapitre présente une structure PNP latérale contrôlée par grille. Cette topologie présente des propriétés intéressantes de robustesse quant à sa tenue à la dose cumulée, l'influence de la grille étant particulièrement sensible dans l'évolution de ses caractéristiques électriques.