Gravure et preparation des surfaces de gaas et de algaas par jets chimiques de trichlorure d'arsenic et de tris-dimethylamino-arsenic

par JEAN MICHEL ORTION

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Philippe Hirtz.

Soutenue en 1997

à Paris 11 .

mots clés

Résumé

Ce memoire presente une etude de la gravure et de la preparation des surfaces de gaas et de algaas par jets chimiques de trichlorure d'arsenic (ascl#3) et de tris-dimethylamino-arsenic (tdmaas). Nous montrons que la desoxydation des surfaces de gaas assistee par tdmaas represente une amelioration par rapport a la desoxydation thermique classique. L'amelioration porte sur une plus faible temperature de desoxydation, sur une meilleure morphologie et sur une plus grande purete de la surface desoxydee. Nous montrons egalement que le traitement par tdmaas est bien adapte a l'epitaxie selective. La gravure par jets chimiques de ascl#3 est analysee pour les materiaux gaas et algaas suivant les aspects de vitesse de gravure, de purete des surfaces gravees et de morphologie des gravures localisees. Un resultat particulierement important est la mise en evidence d'une reduction de la contamination des surfaces gravees de gaas par co-injection de tdmaas. La contamination degrade la morphologie, le phenomene etant amplifie avec la temperature. Enfin, l'analyse de la morphologie des gravures localisees met en evidence le caractere anisotrope de la gravure par ascl#3.

Titre traduit

Chemical beam etching and cleaning of gaas and algaas using arsenic trichloride and trisdimethylamino-arsenic

Pas de résumé disponible.