Croissance de GaN par MOVPE

Movpe growth of gan

• Auteur / Autrice : Jean-Paul Alexis
• Direction : Olivier Briot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Milieux denses et matériaux
• Date : Soutenance en 1997
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Dépôt chimique en phase vapeur

Épitaxie

Croissance cristalline

Cristallographie

Gallium -- Composés

Structure

Composés semiconducteurs

Résumé

Gan est un materiau semiconducteur tres prometteur, tant pour l'optoelectronique, que pour les transistors hyperfrequence, de puissance et les photodetecteurs ultraviolets. Le principal probleme a resoudre est la croissance du materiau, du fait qu'il n'existe pas de substrat adapte. La technique de croissance la plus performante pour ce materiau a l'heure actuelle est la movpe, en utilisant une couche tampon qui permet de resoudre le probleme d'accord de maille avec le substrat (generalement du saphir). Dans ce travail, nous avons etudie et optimise le procede de depot de gan par movpe sur une couche tampon de gan deposee a basse temperature. Du materiau de tres haute qualite a ainsi pu etre fabrique, apres une optimisation systematique des parametres de croissance.