Thèse soutenue

Étude EXAFS d'alliages semiconducteurs épitaxiés par détection du rayonnement X de fluorescence
FR  |  
EN
Accès à la thèse
Auteur / Autrice : Sakura Pascarelli
Direction : Jean-René Régnard
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique
Date : Soutenance en 1997
Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015)

Résumé

FR

Ce travail de these avait pour ambition l'etude des modifications de la structure atomique locale dans des alliages pseudobinaires de semiconducteurs sous contraintes epitaxiales. Compte tenu de leurs potentiels technologiques, les heterostructures ingaas/inp apparaissaient comme des systemes de choix pour cette etude qui vise a une meilleure comprehension des processus intervenant lors de la deposition epitaxiale. En effet, les processus de reorganisation atomique, lies a une minimisation d'energie interviennent dans tous composes epitaxies et presentent donc un grand interet fondamental. Sur le plan experimental, l'exafs en detection de fluorescence, en complement a d'autres techniques plus conventionnelles, s'est averee comme une technique parfaitement adaptee a cette investigation. Ce travail est donc compose de deux partie distinctes : d'une part, une description de la ligne de lumiere synchrotron gilda sur laquelle a ete realise l'ensemble des mesures, et d'autre part, la description de trois experiences visant a l'etude de la structure microscopique aux interfaces et des distorsions atomiques dans les couches epitaxiales, ainsi que la presentation d'un modele original decrivant les distorsions mesurees dans ces systemes. Les mesures experimentales ont beneficie d'une instrumentation adaptee, decrite dans la partie i, associant des miroirs de collimation et de refocalisation et un monochromateur a deux cristaux avec une focalisation sagittale dynamique. Ce dernier a permis de tirer un profit optimal du flux, produit par la source synchrotron de troisieme generation, permettant ainsi l'investigation de systemes tres dilues. La realisation de ce monochromateur a entre autre necessite une comprehension theorique approfondie de la focalisation sagittale par diffraction de bragg. Cette etude a abouti a l'elaboration d'un modele dont la validation experimentale a ete faite sur gilda. Le but de l'etude structurale decrit dans la partie ii est double : etudier la structure microscopique aux interfaces et comparer la structure locale dans les couches de semiconducteurs de type ab#xc#1#-#x sous contraintes a celle dans les composes massifs. Les trois exemples etudies, multicouches ingaas/inp et inasp/inp et monocouches ingaas/inp, ont montre que des mecanismes de reorganisation atomique existent a l'interieur de la maille. L'importance quantitative de ce rearrangement est directement proportionnelle a la quantite de contraintes epitaxiales introduites dans le systeme. L'elaboration d'un nouveau modele a ete necessaire a l'interpretation de ces donnees experimentales.