Modelisation du vieillissement du transistor mos

Modeling of the mosfet degradation

• Auteur / Autrice : Isabelle Limbourg
• Direction : Marc Jourdain
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Reims

Résumé

L'analyse du vieillissement des transistors nmos du a une injection de porteurs chauds est un probleme important, car on sait maintenant que les defauts electriquement actifs crees par ce type de degradation sont la cause d'une diminution de la fiabilite des dispositifs vlsi. Dans ce contexte, l'objectif de ce travail de these est de modeliser et de caracteriser les effets du vieillissement par injection de porteurs chauds sur le comportement electrique du transistor nmos. Pour cela, on a developpe un modele analytique unidimensionnel dans lequel le canal est divise en cellules et qui peut prendre en compte une distribution de defauts le long de ce canal. Les echantillons utilises ont ete degrades par photoinjection homogene d'electrons dans l'oxyde de grille ; la densite d'etats d'interface et la densite de charges piegees dans l'oxyde ont ete extraites respectivement par la methode de pompage de charges et par la methode de mc whorter et winokur. Ce modele a ensuite ete introduit dans le simulateur de circuits saber, la caracterisation et l'optimisation de tous les parametres du modele ont ete realises a l'aide du logiciel ic-cap. Ce modele a ete valide en regime statique pour une degradation homogene, pour deux types de transistors nmos, de geometries differentes et de comportement inegal vis-a-vis de la degradation