Electromigration dans les semiconducteurs - application au Hg0,3 Cd0,7 Te

par Bernd Ole Wartlick

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Jean-François Barbot.

Soutenue en 1996

à Poitiers .


  • Résumé

    Ce travail a ete realise au sein du laboratoire de metallurgie physique de l'universite de poitiers. Une partie des experiences a ete effectuee au laboratoire du iv. Physikalisches institut de l'universite de gottingen (allemagne). Le sujet de cette these se situe dans le large domaine des semiconducteurs. Nous avons etudie le comportement des impuretes chargees positivement dans les semiconducteurs de type p. En particulier, nous nous sommes interesses aux atomes donneurs en position interstitielle. Nous avons observe que ces donneurs peuvent etre mobiles a temperature ambiante. Les techniques experimentales que nous avons utilisees dans cette etude faisaient intervenir des mesures capacitives, notamment de type c-v et la spectroscopie des niveaux profonds (dlts). Nous avons applique ces mesures a des echantillons de hgcdte qui sont des semiconducteurs de la famille ii-vi. Sur des echantillons de hgcdte brut de croissance nous avons observe un processus d'electromigration, c'est-a-dire que des atomes de type donneur se deplacent dans ces echantillons sous l'influence d'un champ electrique intense. Ce deplacement entraine une forte modification locale du dopage. Nous supposons que l'atome de mercure en position interstitielle est responsable de ce processus d'electromigration. Nous avons egalement effectue des experiences sur des echantillons de hgcdte dans lesquels ont ete diffuses les elements argent ou cuivre. Nous avons developpe une technique fondee sur les mesures capacitives qui permet de determiner le coefficient de diffusion de ces elements a une temperature au voisinage de l'ambiante. Nous donnons les parametres d'arrhenius du coefficient de diffusion d'un mecanisme interstitiel pour l'argent et le cuivre dans le hgcdte ainsi que ceux de l'argent dans un echantillon de cdte

  • Titre traduit

    Electromigration in semiconductors application to cdhgte crkstals


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Informations

  • Détails : 110 p
  • Annexes : 60 réf. bibliogr

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  • Cote : TS 96/POIT/2304

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  • PEB soumis à condition
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