TY  - THES
DP  - 
		http://www.theses.fr/1996LIL10086
TI  - Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V : application aux matériaux GaAs et InP
AU  - Mouton, Olivier
A3  - Fauquembergue, Renaud
PY  - 1996
SP  - 1 vol. (pagination multiple [ca 210] p.)
N1  - Thèse de doctorat Électronique Lille 1 1996
N1  - 1996LIL10086
ER  -